意法半导体（简称：ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术,有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术,公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。

意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示,意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。

作为SiC功率MOSFET的市场领跑者，意法半导体正在进一步推进技术创新，以充分利用SiC能效和功率密度比硅基器件更高的优点。最新一代SiC器件旨在改善未来电动汽车电驱逆变器平台，进一步释放小型化和节能潜力。尽管电动汽车市场不断增长，但要实现广泛应用仍面临挑战，汽车制造商正在探索推出普通消费者都能买得起的电动汽车。基于SiC的800V电动汽车平台电驱系统实现了更快的充电速度，降低了电动汽车的重量，有助于汽车制造商生产续航里程更长的高端车型。意法半导体的新SiC MOSFET产品有750V和1200V两个电压等级，能够分别提高400V和800V电动汽车平台电驱逆变器的能效和性能。中型和紧凑车型是两个重要的汽车细分市场。将SiC的技术优势下探到这两个市场，有助于让电动汽车被普罗大众接受。除了电车外，新一代SiC技术还适用于各种大功率工业设备，包括太阳能逆变器、储能解决方案和数据中心等日益增长的应用，帮助其显著提高能源效率。

意法半导体现已完成第四代SiC技术平台750V电压等级的产前认证，预计将在2025年第一季度完成1200V电压等级的认证。标称电压为750V和1200V的产品随后将上市销售，从标准市电电压，到高压电动汽车电池和充电器，满足设计人员的各种应用开发需求。